Efficiency optimization of p-type doping in GaN:Mg layers grown by molecular-beam epitaxy

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Revista:
Journal of Crystal Growth

ISSN: 0022-0248

Año de publicación: 2004

Volumen: 270

Número: 3-4

Páginas: 542-546

Tipo: Artículo

DOI: 10.1016/J.JCRYSGRO.2004.07.019 GOOGLE SCHOLAR