Strong localization in InGaN layers with high in content grown by molecular-beam epitaxy

  1. Naranjo, F.B.
  2. Sánchez-García, M.A.
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  6. Ploog, K.H.
Revista:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Año de publicación: 2002

Volumen: 80

Número: 2

Páginas: 231-233

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.1432751 GOOGLE SCHOLAR
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