Crystal morphology and optical emissions of GaN layers grown on Si(111) substrates by molecular beam epitaxy

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Revista:
MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research

ISSN: 1092-5783

Año de publicación: 1998

Volumen: 3

Tipo: Artículo

DOI: 10.1557/S1092578300001046 GOOGLE SCHOLAR lock_openAcceso abierto editor