Study of SiNx:Hy passivant layers for AlGaN/GaN high electron mobility transistors

  1. Redondo-Cubero, A.
  2. Gago, R.
  3. Romero, M.F.
  4. Jiménez, A.
  5. González-Posada, F.
  6. Braña, A.F.
  7. Muñoz, E.
Revista:
Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics

ISSN: 1862-6351,  1610-1642

Any de publicació: 2008

Volum: 5

Número: 2

Pàgines: 518-521

Tipus: Aportació a un congrés

DOI: 10.1002/PSSC.200777473 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus