Ultraviolet electroluminescence in GaN/AIGaN single-heterojunction light-emitting diodes grown on Si(111)

  1. Sánchez-García, M.A.
  2. Naranjo, F.B.
  3. Pau, J.L.
  4. Jiménez, A.
  5. Calleja, E.
  6. Muñoz, E.
Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Any de publicació: 2000

Volum: 87

Número: 3

Pàgines: 1569-1571

Tipus: Article

DOI: 10.1063/1.372052 GOOGLE SCHOLAR

Objectius de Desenvolupament Sostenible

Font de les dades: Scopus