Ultraviolet electroluminescence in GaN/AIGaN single-heterojunction light-emitting diodes grown on Si(111)

  1. Sánchez-García, M.A.
  2. Naranjo, F.B.
  3. Pau, J.L.
  4. Jiménez, A.
  5. Calleja, E.
  6. Muñoz, E.
Zeitschrift:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Datum der Publikation: 2000

Ausgabe: 87

Nummer: 3

Seiten: 1569-1571

Art: Artikel

DOI: 10.1063/1.372052 GOOGLE SCHOLAR

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