Characterization of the resonant third-order nonlinear susceptibility of Si-doped GaN-AlN quantum wells and quantum dots at 1.5 μm

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Revista:
IEEE Photonics Technology Letters

ISSN: 1041-1135

Año de publicación: 2008

Volumen: 20

Número: 16

Páginas: 1366-1368

Tipo: Artículo

DOI: 10.1109/LPT.2008.926842 GOOGLE SCHOLAR
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