Characterization of the resonant third-order nonlinear susceptibility of Si-doped GaN-AlN quantum wells and quantum dots at 1.5 μm

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  7. Monroy, E.
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  9. Tchernycheva, M.
  10. Julien, F.H.
Zeitschrift:
IEEE Photonics Technology Letters

ISSN: 1041-1135

Datum der Publikation: 2008

Ausgabe: 20

Nummer: 16

Seiten: 1366-1368

Art: Artikel

DOI: 10.1109/LPT.2008.926842 GOOGLE SCHOLAR
Datenquelle: Scopus