Impact of N 2 plasma power discharge on AlGaN/GaN HEMT performance

  1. Romero, M.-F.
  2. Jiménez, A.
  3. González-Posada, F.
  4. Martín-Horcajo, S.
  5. Calle, F.
  6. Muñoz, E.
Revista:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Año de publicación: 2012

Volumen: 59

Número: 2

Páginas: 374-379

Tipo: Artículo

DOI: 10.1109/TED.2011.2176947 GOOGLE SCHOLAR
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