Wet etching of GaN grown by molecular beam epitaxy on Si(111)

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Zeitschrift:
Semiconductor Science and Technology

ISSN: 0268-1242

Datum der Publikation: 2000

Ausgabe: 15

Nummer: 10

Seiten: 996-100

Art: Artikel

DOI: 10.1088/0268-1242/15/10/312 GOOGLE SCHOLAR