High quality Al0.37In0.63N layers grown at low temperature (<300 °C) by radio-frequency sputtering

  1. Núñez-Cascajero, A.
  2. Blasco, R.
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  4. Montero, D.
  5. Olea, J.
  6. Naranjo, F.B.
Revista:
Materials Science in Semiconductor Processing

ISSN: 1369-8001

Año de publicación: 2019

Volumen: 100

Páginas: 8-14

Tipo: Artículo

DOI: 10.1016/J.MSSP.2019.04.029 GOOGLE SCHOLAR HANDLE: https://hdl.handle.net/10017/63264 HANDLE: https://hdl.handle.net/20.500.14352/13635
e_Buah Biblioteca Digital Universidad de Alcalá: lock_openAcceso abierto Handle
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