2-DEG characteristics improvement by N2plasma exposure in GaN HEMT heterostructures

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Konferenzberichte:
2007 Spanish Conference on Electron Devices, Proceedings

ISBN: 9781424408689

Datum der Publikation: 2007

Seiten: 154-157

Art: Konferenz-Beitrag

DOI: 10.1109/SCED.2007.384015 GOOGLE SCHOLAR