P-GaN/AlGaN/GaN high electron mobility transistors

  1. Coffie, R.
  2. Heikman, S.
  3. Buttari, D.
  4. Keller, S.
  5. Chini, A.
  6. Shen, L.
  7. Zhang, N.
  8. Jimenez, A.
  9. Jena, D.
  10. Mishra, U.K.
Revista:
Device Research Conference - Conference Digest, DRC

ISSN: 1548-3770

Any de publicació: 2002

Volum: 2002-January

Pàgines: 25-26

Tipus: Article

DOI: 10.1109/DRC.2002.1029489 GOOGLE SCHOLAR

Objectius de Desenvolupament Sostenible

Font de les dades: Scopus