P-i-n InGaN homojunctions (10–40% In) synthesized by plasma-assisted molecular beam epitaxy with extended photoresponse to 600 nm
- Valdueza-Felip, S.
- Ajay, A.
- Redaelli, L.
- Chauvat, M.P.
- Ruterana, P.
- Cremel, T.
- Jiménez-Rodríguez, M.
- Kheng, K.
- Monroy, E.
Revista:
Solar Energy Materials and Solar Cells
ISSN: 0927-0248
Any de publicació: 2017
Volum: 160
Pàgines: 355-360
Tipus: Article