Molecular beam epitaxy growth and doping of III-nitrides on Si(1 1 1): Layer morphology and doping efficiency

  1. Calleja, E.
  2. Sánchez-García, M.A.
  3. Calle, F.
  4. Naranjo, F.B.
  5. Muñoz, E.
  6. Jahn, U.
  7. Ploog, K.
  8. Sánchez, J.
  9. Calleja, J.M.
  10. Saarinen, K.
  11. Hautojärvi, P.
Revista:
Materials Science and Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology

ISSN: 0921-5107

Ano de publicación: 2001

Volume: 82

Número: 1-3

Páxinas: 2-8

Tipo: Artigo

DOI: 10.1016/S0921-5107(00)00721-2 GOOGLE SCHOLAR

Obxectivos de Desenvolvemento Sustentable

Fonte de datos: Scopus