Analysis and modeling of AlxGa1-xN-based Schottky barrier photodiodes

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Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Año de publicación: 2000

Volumen: 88

Número: 4

Páginas: 2081-2091

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.1305838 GOOGLE SCHOLAR
Fuente de los datos: Scopus