Experimental evidence for a Be shallow acceptor in GaN grown on Si(111) by molecular beam epitaxy

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Revista:
Semiconductor Science and Technology

ISSN: 0268-1242

Año de publicación: 1998

Volumen: 13

Número: 10

Páginas: 1130-1133

Tipo: Artículo

DOI: 10.1088/0268-1242/13/10/013 GOOGLE SCHOLAR
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