Exciton and donor-acceptor recombination in undoped GaN on Si(111)

  1. Calle, F.
  2. Sánchez, F.J.
  3. Tijero, J.M.G.
  4. Sánchez-García, M.A.
  5. Calleja, E.
  6. Beresford, R.
Revista:
Semiconductor Science and Technology

ISSN: 0268-1242

Any de publicació: 1997

Volum: 12

Número: 11

Pàgines: 1396-1403

Tipus: Article

DOI: 10.1088/0268-1242/12/11/011 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus