Effects of N2 plasma pretreatment on the SiN passivation of AlGaN/GaN HEMT

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Zeitschrift:
IEEE Electron Device Letters

ISSN: 0741-3106

Datum der Publikation: 2008

Ausgabe: 29

Nummer: 3

Seiten: 209-211

Art: Artikel

DOI: 10.1109/LED.2008.915568 GOOGLE SCHOLAR
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