Effects of N2 plasma pretreatment on the SiN passivation of AlGaN/GaN HEMT

  1. Romero, M.F.
  2. Jiménez, A.
  3. Miguel-Sánchez, J.
  4. Braña, A.F.
  5. González-Posada, F.
  6. Cuerdo, R.
  7. Calle, F.
  8. Muñoz, E.
Aldizkaria:
IEEE Electron Device Letters

ISSN: 0741-3106

Argitalpen urtea: 2008

Alea: 29

Zenbakia: 3

Orrialdeak: 209-211

Mota: Artikulua

DOI: 10.1109/LED.2008.915568 GOOGLE SCHOLAR
Datuen iturria: Scopus