Plasma diagnostics and device properties of AlGaN/GaN HEMT passivated with SiN deposited by plasma-enhanced chemical vapour deposition

  1. Romero, M.F.
  2. Sanz, M.M.
  3. Tanarro, I.
  4. Jiménez, A.
  5. Muñoz, E.
Zeitschrift:
Journal of Physics D: Applied Physics

ISSN: 0022-3727,  1361-6463

Datum der Publikation: 2010

Ausgabe: 43

Nummer: 49

Art: Artikel

DOI: 10.1088/0022-3727/43/49/495202 GOOGLE SCHOLAR

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