P-i-n InGaN homojunctions (10–40% In) synthesized by plasma-assisted molecular beam epitaxy with extended photoresponse to 600 nm

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Revista:
Solar Energy Materials and Solar Cells

ISSN: 0927-0248

Año de publicación: 2017

Volumen: 160

Páginas: 355-360

Tipo: Artículo

DOI: 10.1016/J.SOLMAT.2016.10.007 GOOGLE SCHOLAR
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