Effect of different buffer layers on the quality of InGaN layers grown on Si

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  7. Calleja, E.
Zeitschrift:
AIP Advances

ISSN: 2158-3226

Datum der Publikation: 2018

Ausgabe: 8

Nummer: 10

Art: Artikel

DOI: 10.1063/1.5046756 GOOGLE SCHOLAR lock_openOpen Access editor