Molecular beam epitaxy growth and doping of III-nitrides on Si(1 1 1): Layer morphology and doping efficiency

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Revista:
Materials Science and Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology

ISSN: 0921-5107

Año de publicación: 2001

Volumen: 82

Número: 1-3

Páginas: 2-8

Tipo: Artículo

DOI: 10.1016/S0921-5107(00)00721-2 GOOGLE SCHOLAR

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