Exciton and donor-acceptor recombination in undoped GaN on Si(111)

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  6. Beresford, R.
Revista:
Semiconductor Science and Technology

ISSN: 0268-1242

Año de publicación: 1997

Volumen: 12

Número: 11

Páginas: 1396-1403

Tipo: Artículo

DOI: 10.1088/0268-1242/12/11/011 GOOGLE SCHOLAR
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