Study of high quality AlN layers grown on Si(111) substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy

  1. Sánchez-García, M.A.
  2. Calleja, E.
  3. Monroy, E.
  4. Sánchez, F.J.
  5. Calle, F.
  6. Muñoz, E.
  7. Hervas, A.S.
  8. Villar, C.
  9. Aguilar, M.
Revista:
MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research

ISSN: 1092-5783

Año de publicación: 1997

Volumen: 2

Tipo: Artículo

DOI: 10.1557/S1092578300001599 GOOGLE SCHOLAR lock_openAcceso abierto editor