Effects of N2 plasma pretreatment on the SiN passivation of AlGaN/GaN HEMT

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Revista:
IEEE Electron Device Letters

ISSN: 0741-3106

Año de publicación: 2008

Volumen: 29

Número: 3

Páginas: 209-211

Tipo: Artículo

DOI: 10.1109/LED.2008.915568 GOOGLE SCHOLAR
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