Reactive ion etching of GaN layers using SF6

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  7. Calleja, E.
Zeitschrift:
Semiconductor Science and Technology

ISSN: 0268-1242

Datum der Publikation: 1997

Ausgabe: 12

Nummer: 12

Seiten: 1654-1657

Art: Artikel

DOI: 10.1088/0268-1242/12/12/019 GOOGLE SCHOLAR
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