Reactive ion etching of GaN layers using SF6

  1. Basak, D.
  2. Verdú, M.
  3. Montojo, M.T.
  4. Sánchez-García, M.A.
  5. Sánchez, F.J.
  6. Muñoz, E.
  7. Calleja, E.
Aldizkaria:
Semiconductor Science and Technology

ISSN: 0268-1242

Argitalpen urtea: 1997

Alea: 12

Zenbakia: 12

Orrialdeak: 1654-1657

Mota: Artikulua

DOI: 10.1088/0268-1242/12/12/019 GOOGLE SCHOLAR
Datuen iturria: Scopus