Improved AlGaN/GaN high electron mobility transistor using AlN interlayers

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Revista:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Año de publicación: 2003

Volumen: 82

Número: 26

Páginas: 4827-4829

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.1588379 GOOGLE SCHOLAR
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