Improved AlGaN/GaN high electron mobility transistor using AlN interlayers

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  7. Moerman, I.
Zeitschrift:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Datum der Publikation: 2003

Ausgabe: 82

Nummer: 26

Seiten: 4827-4829

Art: Artikel

DOI: 10.1063/1.1588379 GOOGLE SCHOLAR
Datenquelle: Scopus