Improved AlGaN/GaN high electron mobility transistor using AlN interlayers

  1. Jiménez, A.
  2. Bougrioua, Z.
  3. Tirado, J.M.
  4. Braña, A.F.
  5. Calleja, E.
  6. Muñoz, E.
  7. Moerman, I.
Aldizkaria:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Argitalpen urtea: 2003

Alea: 82

Zenbakia: 26

Orrialdeak: 4827-4829

Mota: Artikulua

DOI: 10.1063/1.1588379 GOOGLE SCHOLAR
Datuen iturria: Scopus