Resonant-cavity InGaN multiple-quantum-well green light-emitting diode grown by molecular-beam epitaxy

  1. Naranjo, F.B.
  2. Fernández, S.
  3. Sánchez-García, M.A.
  4. Calle, F.
  5. Calleja, E.
Zeitschrift:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Datum der Publikation: 2002

Ausgabe: 80

Nummer: 12

Seiten: 2198-2200

Art: Artikel

DOI: 10.1063/1.1463701 GOOGLE SCHOLAR

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