Resonant-cavity InGaN multiple-quantum-well green light-emitting diode grown by molecular-beam epitaxy

  1. Naranjo, F.B.
  2. Fernández, S.
  3. Sánchez-García, M.A.
  4. Calle, F.
  5. Calleja, E.
Revista:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Ano de publicación: 2002

Volume: 80

Número: 12

Páxinas: 2198-2200

Tipo: Artigo

DOI: 10.1063/1.1463701 GOOGLE SCHOLAR

Obxectivos de Desenvolvemento Sustentable

Fonte de datos: Scopus