Resonant-cavity InGaN multiple-quantum-well green light-emitting diode grown by molecular-beam epitaxy

  1. Naranjo, F.B.
  2. Fernández, S.
  3. Sánchez-García, M.A.
  4. Calle, F.
  5. Calleja, E.
Aldizkaria:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Argitalpen urtea: 2002

Alea: 80

Zenbakia: 12

Orrialdeak: 2198-2200

Mota: Artikulua

DOI: 10.1063/1.1463701 GOOGLE SCHOLAR

Garapen Iraunkorreko Helburuak