Reactive ion etching of GaN layers using SF6

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Revista:
Semiconductor Science and Technology

ISSN: 0268-1242

Año de publicación: 1997

Volumen: 12

Número: 12

Páginas: 1654-1657

Tipo: Artículo

DOI: 10.1088/0268-1242/12/12/019 GOOGLE SCHOLAR
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