Deep level transient spectroscopy assessment of silicon contamination in AlGaAs layers grown by metalorganic vapor phase epitaxy

  1. Calleja, E.
  2. Sanchez, F.
  3. Muñoz, E.
  4. Gibart, P.
  5. Powell, A.
  6. Roberts, J.S.
Revista:
Journal of Electronic Materials

ISSN: 1543-186X,  0361-5235

Any de publicació: 1995

Volum: 24

Número: 8

Pàgines: 1017-1022

Tipus: Article

DOI: 10.1007/BF02652976 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus