Deep level transient spectroscopy assessment of silicon contamination in AlGaAs layers grown by metalorganic vapor phase epitaxy

  1. Calleja, E.
  2. Sanchez, F.
  3. Muñoz, E.
  4. Gibart, P.
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  6. Roberts, J.S.
Zeitschrift:
Journal of Electronic Materials

ISSN: 1543-186X,  0361-5235

Datum der Publikation: 1995

Ausgabe: 24

Nummer: 8

Seiten: 1017-1022

Art: Artikel

DOI: 10.1007/BF02652976 GOOGLE SCHOLAR
Datenquelle: Scopus