Fe doping for making resistive GaN layers with low dislocation density; consequence on HEMTs

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Actas:
Physica Status Solidi C: Conferences

ISSN: 1610-1634

Año de publicación: 2005

Volumen: 2

Número: 7

Páginas: 2424-2428

Tipo: Aportación congreso

DOI: 10.1002/PSSC.200461588 GOOGLE SCHOLAR
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