Fe doping for making resistive GaN layers with low dislocation density; consequence on HEMTs

  1. Bougrioua, Z.
  2. Azize, M.
  3. Jimenez, A.
  4. Braña, A.-F.
  5. Lorenzini, P.
  6. Beaumont, B.
  7. Muñoz, E.
  8. Gibart, P.
Actes:
Physica Status Solidi C: Conferences

ISSN: 1610-1634

Any de publicació: 2005

Volum: 2

Número: 7

Pàgines: 2424-2428

Tipus: Aportació congrés

DOI: 10.1002/PSSC.200461588 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus