Fe doping for making resistive GaN layers with low dislocation density; consequence on HEMTs

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Actes de conférence:
Physica Status Solidi C: Conferences

ISSN: 1610-1634

Année de publication: 2005

Volumen: 2

Número: 7

Pages: 2424-2428

Type: Communication dans un congrès

DOI: 10.1002/PSSC.200461588 GOOGLE SCHOLAR
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