Fe doping for making resistive GaN layers with low dislocation density; consequence on HEMTs
- Bougrioua, Z.
- Azize, M.
- Jimenez, A.
- Braña, A.-F.
- Lorenzini, P.
- Beaumont, B.
- Muñoz, E.
- Gibart, P.
ISSN: 1610-1634
Datum der Publikation: 2005
Ausgabe: 2
Nummer: 7
Seiten: 2424-2428
Art: Konferenz-Beitrag