Deep level transient spectroscopy assessment of silicon contamination in AlGaAs layers grown by metalorganic vapor phase epitaxy

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Revista:
Journal of Electronic Materials

ISSN: 1543-186X,  0361-5235

Año de publicación: 1995

Volumen: 24

Número: 8

Páginas: 1017-1022

Tipo: Artículo

DOI: 10.1007/BF02652976 GOOGLE SCHOLAR

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