Effect of p-doped overlayer thickness on RF-dispersion in GaN junction FETs

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Revista:
IEEE Electron Device Letters

ISSN: 0741-3106

Año de publicación: 2002

Volumen: 23

Número: 6

Páginas: 306-308

Tipo: Carta

DOI: 10.1109/LED.2002.1004217 GOOGLE SCHOLAR
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