Effect of p-doped overlayer thickness on RF-dispersion in GaN junction FETs

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Zeitschrift:
IEEE Electron Device Letters

ISSN: 0741-3106

Datum der Publikation: 2002

Ausgabe: 23

Nummer: 6

Seiten: 306-308

Art: Brief

DOI: 10.1109/LED.2002.1004217 GOOGLE SCHOLAR

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