Effect of p-doped overlayer thickness on RF-dispersion in GaN junction FETs

  1. Jiménez, A.
  2. Buttari, D.
  3. Jena, D.
  4. Coffíe, R.
  5. Heikman, S.
  6. Zhang, N.Q.
  7. Shen, L.
  8. Calleja, E.
  9. Muñoz, E.
  10. Speck, J.
  11. Mishra, U.K.
Aldizkaria:
IEEE Electron Device Letters

ISSN: 0741-3106

Argitalpen urtea: 2002

Alea: 23

Zenbakia: 6

Orrialdeak: 306-308

Mota: Gutuna

DOI: 10.1109/LED.2002.1004217 GOOGLE SCHOLAR

Garapen Iraunkorreko Helburuak

Datuen iturria: Scopus