Effect of p-doped overlayer thickness on RF-dispersion in GaN junction FETs

  1. Jiménez, A.
  2. Buttari, D.
  3. Jena, D.
  4. Coffíe, R.
  5. Heikman, S.
  6. Zhang, N.Q.
  7. Shen, L.
  8. Calleja, E.
  9. Muñoz, E.
  10. Speck, J.
  11. Mishra, U.K.
Revista:
IEEE Electron Device Letters

ISSN: 0741-3106

Any de publicació: 2002

Volum: 23

Número: 6

Pàgines: 306-308

Tipus: Carta

DOI: 10.1109/LED.2002.1004217 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus