Effect of p-doped overlayer thickness on RF-dispersion in GaN junction FETs

  1. Jiménez, A.
  2. Buttari, D.
  3. Jena, D.
  4. Coffíe, R.
  5. Heikman, S.
  6. Zhang, N.Q.
  7. Shen, L.
  8. Calleja, E.
  9. Muñoz, E.
  10. Speck, J.
  11. Mishra, U.K.
Revue:
IEEE Electron Device Letters

ISSN: 0741-3106

Année de publication: 2002

Volumen: 23

Número: 6

Pages: 306-308

Type: Lettre

DOI: 10.1109/LED.2002.1004217 GOOGLE SCHOLAR

Objectifs de Développement Durable

La source de données: Scopus