Effect of p-doped overlayer thickness on RF-dispersion in GaN junction FETs

  1. Jiménez, A.
  2. Buttari, D.
  3. Jena, D.
  4. Coffíe, R.
  5. Heikman, S.
  6. Zhang, N.Q.
  7. Shen, L.
  8. Calleja, E.
  9. Muñoz, E.
  10. Speck, J.
  11. Mishra, U.K.
Revista:
IEEE Electron Device Letters

ISSN: 0741-3106

Ano de publicación: 2002

Volume: 23

Número: 6

Páxinas: 306-308

Tipo: Carta

DOI: 10.1109/LED.2002.1004217 GOOGLE SCHOLAR

Obxectivos de Desenvolvemento Sustentable

Fonte de datos: Scopus